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技術(shù) | SiC襯底和外延材料對MOSFET器件特性的影響
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2024-03-09
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2023-11-17
東芝推出用于工業(yè)設(shè)備的第3代碳化硅MOSFET,采用可降低開關(guān)損耗的4引腳封裝
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2023-08-31
英飛凌推出TO263-7封裝的新一代1200 V CoolSiC溝槽式MOSFET
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2023-04-27
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如何避免MOSFET常見問題和失效模式
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2022-12-28
如何使用 LTspice 仿真 SiC MOSFET:良好驅(qū)動(dòng)器的重要性
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2022-11-10
MOSFET選型10步法則
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2022-10-27
MOSFET結(jié)構(gòu)及其工作原理詳解
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xiaxue
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2022-10-21
MOSFET選型10步法則
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2022-10-16
SiC-MOSFET特征及與Si-MOSFET、IGBT的區(qū)別
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2022-07-17
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2022-05-06
【干貨】技術(shù)角度看特斯拉批量召回可能原因分析--隱蔽的碳化硅MOSFET柵極諧振問題
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2022-04-16
1.2kV SiC MOSFET中的主動(dòng)短路和重復(fù)短路
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2022-04-16
重磅新品|清純半導(dǎo)體推出國內(nèi)首款15V驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET
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2022-04-13
MOSFET 之父:Dawon Kahng 和 Martin Atalla
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2021-12-21
盤點(diǎn) | 重中之重的功率半導(dǎo)體,全球MOSFET制造商有哪些??
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2021-06-29
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國家汽車芯片標(biāo)準(zhǔn)體系建設(shè)指南
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